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噴射器N溝道型IGBT的工作過程為：給柵極一發(fā)射極間加閾值電壓u。以上的(正)電壓，在柵極電極正下方的P層上形成反型層(溝道)，從而開始從發(fā)射極電極F的N一層注人電子。浚電子為PNP晶體管的少數(shù)載流子，它從集電極襯底P+層開始流人空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制(雙極工作)，可以降低集電極一發(fā)射極問的飽和電壓。噴射器IGBT工作時(shí)的簡化等效電路和電氣圖形滯號(hào)如圖l一37所示。在其發(fā)射極電極側(cè)形成有NPN寄生晶體管。若NPN寄生晶體管工作，它又變成P+，N一，P一，N+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停止供給電流，此時(shí)通過糯出信號(hào)已不能進(jìn)行控制。一般稱這種狀態(tài)為閉鎖狀態(tài)。