噴射器開關速度快，關斷時間短，耐壓為1—1．8kV的IGBT的關斷時間約為1．2斗s，600v的IGBT的關斷時間約為0．21．ts，約為GTR的10％，接近于功率MOSFET。其開關頻率可達100kHz，開關損耗僅為GTR的30％。
IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性．如容易驅動，安全工作區寬，峰值電流大，堅固耐用等。一般來講，噴射器IGBT的開關速度低于功率MOSET，但是IGBT的開關特性非常接近功率MOSFET，而且其導通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT內部不存在反向噴射器，故在應用中可以靈活選用外接恢復噴射器，這個特性是優點還是缺點，應根據工作頻率、噴射器的價格和電流容量等參數來衡量。
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